人们通过努力在硅片旋涂光刻胶前使用一种叫做丙二醇甲醚醋酸酯(分子式为CH3COOCH(CH3)CH2O CH3,PGMEA的化学溶剂)对硅片进行预处理。 TA2042F这种方法叫做节省光刻胶涂层(Resist Reduction Coatillg,RRC)。不过,如果这种方法使用不当,会产生缺陷。缺陷可能是由在RRC同光刻胶界面上的化学冲击和空气中的氨对RRC溶剂的污染有关。

   保持显影机或者显影模块的排风压力,以防止显影过程中,在硅片旋转过程中显影液微小液滴的回溅。

   由于光刻胶的黏度会随着温度的变化而改变,可以通过有意改变硅片或者光刻胶的温度来获得不同的厚度。如果在硅片不同区域设定不同的温度,可以在一片硅片上取得不同的光刻胶厚度,通过线宽随光刻胶厚度的规律(波动线,swing curve)确定光刻胶的最佳厚度,以节省硅片、机器时间和材料[l。]。有关波动线的论述将在后续章节论述。对于抗反射层的旋涂的方法和原理也是一样的。