铜多层互连系统是在集成电路技术进入0,18um时出现并发展起来的互连技术,目前已成为UI'SI最主要的互连系统。在以铜为互连导电层的镶嵌工艺,PAM2305AABADJ叉称为双大马士革(Dud Damascel△e)I艺。为镶嵌式铜多层互连系统的其中某一层的工艺流程。

   镶嵌式铜多层互连工艺为:

   ①在前层的互连层平面上淀积刻蚀停止层,如PECVlD一弘N1;

   ②淀积厚的绝缘介质层,如APCVD sO2或低Κ介质材料;

   ③光刻引线孔;

   ④以光刻胶作为掩膜刻蚀引线沟槽并去胶,如干法刻蚀⒏02再去胶;

   ⑤光刻通孔;

   ⑥以光刻胶作为掩膜刻蚀通孔并去胶,如干法刻蚀sO2再去J皎;

   ⑦去刻蚀停止层,采用高选择比的刻蚀方法,通孔刻蚀过程将在停止层自动停止;