影响光刻工艺过程的主要因素为掩模板、光刻胶和光刻机。掩模板由透光的衬底材料(石英玻璃)和不透光金属吸收材料(主要是金属铬)组成。 HAT3036R-EL-E通常还要在表面沉积一层保护膜,避免掩模板受到空气中微粒或其他形式的污染。光刻胶叉称光致抗蚀剂,是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。光刻胶受到特定波长光线的作用时化学结构发生变化,使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。正胶的分辨率高,一般在超大规模集成电路工艺中采用。负胶的分辨率差,适于加I线宽≥3um的器件。光刻机是曝光工具,是光刻工程的核心部分,其造价昂贵,可称世界上最精密的仪器。本章将讨论光刻工艺所用光刻版、光刻胶、光学分辨率增强技术和光刻设各。

   光刻掩模板的制造

   掩模板就是将设计好的特定几何图形通过一定的方法以一定的间距和布局做在基板上,供光刻工艺中重复使用。制造商将设计工程师交付的标准制版数据传送给一个称为图形发生器的设备,图形发生器会根据该数据完成图形的产生和重复,并将版图数据分层转移到各层光刻掩模板(为涂有感光材料的优质玻璃板)上,这就是制版。