经过涂底之后,就可以进行涂胶。在涂胶之前先把硅片放在一个平整的金属托盘上。托盘表HAT2068R-EL-E面有小孔与真空管相连,硅片就被吸在托盘上,这样硅片就可以与托盘一起旋转。涂胶工艺一般包括3个步骤:

   ①将光刻胶溶液喷洒到硅片表面上;

   ②加速旋转托盘(硅片),直至达到需要的旋转速度;

   ③达到所需的旋转速度后,保持一定时间的旋转。

    涂胶工艺的一种做法是先使托盘达到一定的转速,再把光刻胶溶液喷洒到硅片表面上,之后再加速到所需的旋转速度并保持一定时间的旋转。由于硅片表面的光刻胶是借着旋转过程中离心力的作用而向硅片的外围移动的,因此涂胶也称为甩胶。液态的光刻胶在离J心力的作用下,由轴心沿径向飞 溅出去,而黏附在硅片表面的光刻胶受黏附力的作用被留下来。经过甩胶之后,最初喷洒的光刻胶中,留在硅片表面上的不到1%,其余的都被甩掉。最终光刻胶的膜厚除了与光刻胶本身的黏性有关之外,还与旋转速度有关。通常甩

胶后光刻胶的膜厚可以视为与旋转速度的平方根成反比。在旋转过程中,光刻胶中所含的溶剂不断挥发,从而使光刻胶变得千燥,同时也使光刻胶的黏度增加。因此,转速提升得越快,光刻胶薄膜的均匀性就越好。对于同样的光刻胶,硅片的转动速度越快,光刻胶层的厚度也将越薄,而且光刻胶膜的均匀性就越理想。但是如果转速太高,当硅片中心定位不准时,就会造成硅片被甩出的情况,所以一般较大的 硅片对应的转速比较小。通常转速在3000~6000转/分钟,形成0,5~1um的胶膜。涂胶I艺的示意图如图98所示。在涂胶过程中需要注意的是,没有进行前烘的光刻胶仍然是黏性的,容易黏附微粒。因此,涂胶的过程应始终在超净环境中进行。同时喷洒的光刻胶溶液中不能含有空气,因为气泡的作用与微粒相似,都会在光刻工艺中引起缺陷。