图66给出了杂质As、P、B在硅中的能量损失与能量关系的计算值。由图66可见,对硅靶来说,注入离子不同,其核阻止本领达到最大的能量值是不同的。PA905C6RR较重的原子(如砷)有较大的核阻止本领,即单位距离内的能量损失较大;硅中的电子阻止本领随人射离子能量的增加而增加。图中还标出了Sn(E)=Sc(E)日寸的交叉能量。对于离子质量比硅原子小的硼来说,交叉点能量只有10keV,这说明在整个实际注入能量范围(30~300kV)内,硼离子主要通过电子阻止机构消耗能量。另外,对具有较高离子质量的砷来说,交点能量有700kV,因此在30~300keV能量范围内砷离子主要通过核阻止机构消耗能量。对磷来说,交叉能量为130keV,当风(130kt・V时,核阻止机构起主要作用;在较高的能量下,电子阻止机构起主要作用。

   由此注人离子的能量可以分为3个区域:

   ①低能区:在这个区域中,核阻止本领占主要地位,电子阻止本领可以忽略。

   ②中能区:在一个比较宽的区域中,核阻止本领和电子阻止本领同等重要,必须同时考虑。

   ③高能区:在这个区域中,电子阻止本领占主要地位,核阻止本领可以忽略。但这个区域的能量值,一般来说超出了集成电路丁艺中的实际应用范围,属于核物理的研究课题。