湿法刻蚀的优点在于对特定薄膜材料的刻蚀速率远远大于对其他材料的刻蚀速率,从而提高刻蚀的选择性。OP183G但是,由于湿法刻蚀的化学反应是各向同性的,因而位于光刻胶边缘下面的薄膜材料就不可避免地遭到刻蚀,这就使得湿法刻蚀无法满足ULSI工艺对加工精细线条的要求。所以相对于各向同性的湿法刻蚀,各向异性的干法刻蚀就成为了当前集成电路技术中刻蚀工艺的主流。

    与湿法腐蚀比较,干法刻蚀的优点有:保真度好,图形分辨率高;湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。清洁性好,气态生成物被抽出;无湿法腐蚀的大量酸碱废液。缺点有:设备复杂,选择比不如湿法。

   在干法刻蚀中,纵向的刻蚀速率远大于横向的刻蚀速率,位于光刻胶边缘下面的材料会受到光刻胶很好的保护。但离子对硅片上的光刻胶和无保护的薄膜会同时进行轰击刻蚀,其刻蚀的选择性就比湿法刻蚀差。