电子束真空镀铝,源(也称靶)为铝粉末或铝锭,通常采用水冷式石墨(或紫铜)坩埚装源。铝锭放PM8018在坩埚中,由于水冷散热快,当坩埚中心的铝熔化时,其边缘铝仍处于固态,这样可以避免铝与坩埚反应带来的铝膜纯净度的降低。硅片装在行星式夹具上。夹具通常是由三个球面盘构成的,蒸镀时既公转又自转,以使所淀积的铝膜厚度均匀,并改善台阶覆盖特性。

    电子束真空镀铝的典型工艺参数:基压2,6×10ˉPa;衬底温度120℃;蒸距45cm;淀积速率0,12~0.15um/min;电子枪电压9kV,电流0.2A。

   电子束镀铝较钨丝电阻加热器镀铝,可以减少钨丝加热器引人的杂质,可以减少1~2个数量级的钠,提高铝膜的质量。目前,电子束真空镀铝仍普遍用于微电子器件的生产上。