靶原子气相输运过程是指从靶面逸出的原子(或其他粒子)气相质量输运到达衬底的过程。 L78L15ACD常规溅射工艺,由于平板式溅射装置真空室内气体压力较高,尽管两极板之间的距离较近(一般在10cm左右),靶原子在到达衬底表面前仍会发生多次与气体(等离子体)粒子的碰撞,结果,衬底表面某点所到达的靶原子数与该点的到达角有关。而对于高离子浓度的磁控溅射工艺,真空室内气压低,可达高真空度范围,气体靶原子的平均自由程大于从靶面到衬底之间的距离,因此,以一定角度从靶面逸出的靶原子,气相输运轨迹是直线,衬底表面某点所到达的靶原子数是受遮蔽效应限制的。

   淀积成膜过程

   淀积成膜过程是指到达衬底的靶原子在衬底表面先成核再成膜的过程。和蒸镀的成膜过程一样,当靶原子碰撞衬底表面时,或是一直附着在衬底上,或是吸附后再蒸发而离开。与蒸镀相比,溅射的一个突出特点是入射离子与靶原子之间有较大的能量传递,逸出的靶原子从撞击过程中获得了较大动能,其数值一般可达到10~50eV。相比之下,在蒸发过程中源原子所获得的动能一般只有0.1~1eV。由于能量增加可以提高淀积原子在衬底表面上的迁移能力,改善薄膜的台阶覆盖能力和附着力,因此,溅射薄膜的台阶覆盖特性和附着性都好于蒸镀薄膜。另外,溅射工艺的衬底温度通常为室温,但随着溅射淀积的进行,受二次电子的轰击,衬底的温度将有所升高。通常溅射制备的是多晶态或无定形态薄膜。