SiH2C1或sC1是LPCVD s屯N4使用较多的硅源,工艺温度在700~85O℃之间,气体压ACT2802CQL-T力在10~100Pa范围,和⒊H2C炻或⒊α返反应的气体主要是NHd。化学反应方程式如下:

   3⒏H2C12(g)+茌NH3(g)―→S厶N4(s)+6HCl(g)+6H2(g)

   SC11(⒆+4NH3(g)―→・Si3N4(s)+2C12(g)+6H2(g)

在淀积过程中必须输人足够量的NH3以保证所有的SlH2C1都被消耗掉。如果NH3不够充足,薄膜就会变成富硅型。因此,淀积时使用过量的NH3气体。凯Nl薄膜的淀积速率随着各种气体总压,或者⒊H2α2分压的增大而增加,随着NH3与SiH2C炻比值的增大而降低。在700℃时,可以得到10nm/min的淀积速率。温度升高,淀积速率增加。在工艺温度范围内,薄膜淀积速率是受表面反应速率限制的。因此,如果反应气体是从一端进人反应室的,考虑到气缺效应,沿着气流方向反应室要有适当升高的温度梯度。图⒎27所示是温度梯度对弘N亻薄膜厚度的影响。

   影响氮化硅质量的因素主要有工艺温度、总气压、反应剂分压、反应剂气体比例和反应室(炉)的温度梯度。