有很多混合和集成电路设计集成电路是基于一个少数晶体管结构[主要是双极性或金属氧化物硅结构( MOS)，见第16章]和制造工艺。类似于汽车工业，这个工业生产的产品范围很 G30N60B3D广，从轿车到推土机。然而，金属成型、焊接、油漆等[艺对汽牟厂都是通用的．在汽车厂内部，这砦基本的工艺以不同的方式被应用，以制造出客户希望的产品

   同样。卷片制造也是同样的  依次进行4个基本操作，以产乍特定的芯片．这螳操作是薄膜、图形化、掺杂和热处理图4.4是一个硅栅晶体管(MOS)的横截面它说明r如何使用这砦基本的操作并依次制造·个实际的半导体器件？

   薄膜：艺( layering)是在晶圆表面形成薄膜的加的简单MOS晶体管町以看出在晶圆表面生成r许多薄膜．这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体它们由不同的材料，并使用多种r艺牛长或淀积而成，各种技术用于二氧化硅层生长和各种材料的淀积.j通用的淀积技术是物理气相淀积( PVD)、化学气相淀积(CVD)、蒸发和溅射、分子束、外延生长、分子柬外延和原子层淀积( AI．D)  使用电镀在高密度集成电路上淀积金属化层，列出r常见的薄膜材料和薄膜1-艺。其中每项的具体情况在本书的工艺章节各有阐述ij各种薄膜在器件结构.