(l)蓝宝石衬底制备、LED材料外延及出光效率技术

   ①图形化衬底:开展蓝PA9516APW宝石纳米图形衬底制各技术研究;开展具有不同图形的衬底上外延材料形态演化研究,提高材料生长中表面形态可控性,努力提高GaN外延质量;开展图形化衬底LED的内量子效率和出光效率研究。

   ②爿巨极性衬底:开展非极性与半极性面关键外延技术研究;开展非极性与半极性面堆叠层错等缺陷的抑制研究;开展非极性与半极性面LED偏振特性研究。

   (2)非蓝宝石衬底外延技术

   ①GaN衬底:开展GaN同质衬底制备及外延技术研究。

   ②si衬底:开展低成本、低缺陷、高光提取效率及龟裂抑制关键技术研究。

   (3)外延装备及源材料

   ①金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)等关键材料生长设备及技术开发。

   ②金属有机源、高纯氨等高纯源材料的产业化技术开发。