蓝宝石衬底横截面;
发布时间:2016/11/6 18:03:10 访问次数:634
纳米压印技术也同样用于芯片的表面粗化,在艹GaN层表面形成二维光子晶体结构。H W Huallg等人利用纳米压印技术和ICP刻蚀获得了G48101DL-R具有纳米孔洞结构的蓝宝石衬底表面(见图5-43(a))和二维双十二重准晶光子晶体结构的少GaN层表面(见图5-43(c))。结果表明,⒛lllA驱动电流下由纳米孔洞蓝宝石衬底和二维光子晶体的p-GaN层表面构成的LED芯片,输出功率分别提高34%和61%。芯片出光面(阝GaN层)的二维光子晶体微结构具有更高的光散射效应,从而极大地提高了芯片的光提取效率。
纳米压印技术也同样用于芯片的表面粗化,在艹GaN层表面形成二维光子晶体结构。H W Huallg等人利用纳米压印技术和ICP刻蚀获得了G48101DL-R具有纳米孔洞结构的蓝宝石衬底表面(见图5-43(a))和二维双十二重准晶光子晶体结构的少GaN层表面(见图5-43(c))。结果表明,⒛lllA驱动电流下由纳米孔洞蓝宝石衬底和二维光子晶体的p-GaN层表面构成的LED芯片,输出功率分别提高34%和61%。芯片出光面(阝GaN层)的二维光子晶体微结构具有更高的光散射效应,从而极大地提高了芯片的光提取效率。
相关技术资料- 11-6蓝宝石衬底横截面;
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