为减少光子再吸收,p-n结的p型层较薄
发布时间:2016/11/1 20:58:23 访问次数:1030
为减少光子再吸收,p-n结的p型层较薄,正向偏压下由n区扩散至p区的电子容易扩散至p区表面,M4A3-32/32-5VC半导体表面的缺陷密度远高于内部。这些缺陷导致间接复合系数的增加,从而也将降低LED的内量子效率。
如(1)所述,由于过剩少数载流子的扩散,发光区域除耗尽层外,还包括耗尽层两侧的若干区域。由于同质结两侧材料的禁带宽度一致,整个LED芯片区都将发生光子的再吸收现象,当内量子效率低于90%时,必须考虑光子再吸收对LED光效降低的影响。
为减少光子再吸收,p-n结的p型层较薄,正向偏压下由n区扩散至p区的电子容易扩散至p区表面,M4A3-32/32-5VC半导体表面的缺陷密度远高于内部。这些缺陷导致间接复合系数的增加,从而也将降低LED的内量子效率。
如(1)所述,由于过剩少数载流子的扩散,发光区域除耗尽层外,还包括耗尽层两侧的若干区域。由于同质结两侧材料的禁带宽度一致,整个LED芯片区都将发生光子的再吸收现象,当内量子效率低于90%时,必须考虑光子再吸收对LED光效降低的影响。
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