由于三极管型场发射显示器阴阳极间距极小,主要难度集中在隔离柱材料以及封装工艺。

   (1)对隔离柱材料而言:通常厚度为几十微米到9O0微米的隔离柱,需要有足够的强度和刚度;AD5304ACPZ-REEL7需要良好的绝缘性能,不漏电;需要极低的放气率;不能影响显示质量和显示精度。

    (2)对封装工艺而言:需要在极小的空间实现并保持高真空;需要保证阴阳极板在器件内外气压差作用下不变形;需要保证阴阳极图形的精确对准。

    FED发展的方向

   (1)大画面显示板。

   (2)中等尺寸的高亮度、高清晰度显示板,用于电视、游戏跑高性能自发光显示板。

   (3)与大规模硅集成电路结合的小型、多功能显示器。

   MOSFET构造的发射体可用与大规模硅集成电路相近的制造工艺,将各种电路或传感器集成在同一芯片上。图4-12展示了这一概念。可以期待,以这种高性能自发光的显示器为核心,将构成下一代便携式及佩带式信`氪设备平台。