RT为热电阻,单位是℃/W或℃lllW,例如,3AX81的热阻RT=0,25℃/mW,即集电极功耗每增加1mW,结温升高0,25℃。热阻反映了器件的散热能力,热阻愈小, MLF1005L1R0KT则器件散热能力愈好。由上式可看出,在一定的最高结温马M和环境温度几下,热阻愈小,贝刂最大允许的集电极功耗愈大。例如一个晶体管马M=90℃,使用时最高工作温度几=50℃,设热阻=20℃/W,则管子的PcM=2W。如果的将热阻降低为4℃/W,则PcM=10W,比原来的最大允许集电极功耗提高了5倍。这种情况,从物理现象上也是容易理解的。热阻减小,表示晶体管散热能力加强,可以把集电极功耗所产生的热量更快地散发掉,因此对于一定的马M和几,可以承受的最大集电极功耗PcM就增加了。由上可知,提高一个晶体管的PcM,也就是提高管子的输出功率,即增加管子的散热能力,也就是减小它的热阻。目前,提高器件散热能力的主要方法是装散热器(微机在CPU芯片的散热器上还装电风扇)。散热器用导热性能良好的铜、铝等金属制成,表面涂黑,晶体管装上散热器后,热阻降低,最大允许集电极功耗显著增加,一般可增大5倍以上,所以在输出功率大于1W时,器件就需要上适当的散热器。