在电子产品中使用的晶体管和集成电路,由于流过集电极PN结的电流产生热量,必须MLF1005DR33KT采取有效的方法将这些热量散发出去,否则晶体管与集成电路的工作性能会变坏,严重时还会烧坏。因此在使用晶体管与集成电路时,必须认真地考虑其散热问题。

   晶体管及集成电路芯片的散热原理。

   晶体管和集成电路在工作时,直流电源功耗有一部分要消耗在晶体管内,就是集电极功耗民。它们产生的热量一面使结温度升高,一面又经过管壳向四周发散,在连续工作时,达到热的平衡,使得结温度保持在高于环境温度几的某一定值马。所以在一定的环境温度风和晶体管和集成电路散热能力下,集电极功耗凡就决定了管子结温度马的高低。而一个晶体管或集成电路最大允许的结温度马M是一定的,它由器件的材料和制造工艺所决定。对于锗材料,马M约为75~100℃,对于硅材料,约为150~⒛0℃。每种型号晶体管和集电路的马M可以从晶体管器件手册和集成电路手册中查到。这样,在一定环境温度几和管子的散热能力下,最大允许的集电极功耗PcM就是一定的,它由马M所限制。使用时,如果长时期超过PcM,贝刂晶体管结温度将超过最大允许结温度马M,就会缩短管子寿命,甚至有烧坏的危险。