在同质pn结中,p型半导体和n型半导体材料相同,在界面AH177 处导带边和价带边连续,p型半导体杂质浓度为ⅣA,n型半导体杂质浓度为ⅣD,p型半导体费米能级EFp低于n型半导体费米能级EFn,如图2-6(a)所示。在半导体材料中载流子遵守玻尔兹曼分布,p型半导体中价带空穴浓度高,导带自由电子浓度低;而n型半导体中价带空穴浓度低,导带自由电子浓度高。因此,在p型半导体和n型半导体交界面处载流子分布不平衡,p型一侧空穴向n型一侧扩散,p型一侧留下带负电荷的电离受主,n型一侧自由电子向p型一侧扩散,在n型一侧留下带正电荷的电离施主,由此形成了空间电荷区。在界面两侧分布等量的正负电荷形成电场,由n型一侧指向p型一侧,此电场称为内建电场。在内建电场的作用下自由电子从p型半导体向n型半导体一侧漂移,n型半导体空穴向p型半导体一侧漂移,形成漂移电流。