升高退火温度(>700℃),可以观测到明显的漏电流,使得LED反向特性变差,原因EP1C3TC144-8在于Au(甚至Ni)在高温下扩散到LED的有源区,尤其是在GaN材料中有位错的区域更容易产生这种内扩散。试验证明,长期使用这种LED后,其正向电压也会变差,如工作电压升高等。

   在Ni/Au接触的基础上人们为了增加电流扩展和提高反射率,在接触金属上再镀上高反射率的Ag或者Al膜。

   人们发展了各种复合插入层作为p面接触并且具有较高的反射率。Jt】nc-O song等人Ⅱ]报道了用Ag(3nm)/ITo(lOOnm)作为Al基反射膜系的插入层,与p-GaN形成欧姆接触的大功率倒装LED芯片。Ag/ITo首先在空气中530℃和630℃退火1min,之后再沉积

⒛OnlnAl反射镜,然后在330℃下真空氛围退火5mh。退火后的Ag/ITo/Al与p-GaN的接触电阻低至10犭Ω・cm2,在弱Ollm下的反射率为85%,20mA下/l为3.29~3.37V。试验测试证明此接触具有较高的反射率和较好的热稳定性,如图5-19所示,为该体系的反射率曲线和俄歇深度曲线(AugCr dcpth pro丘lc)。