若是读操作,芯片就将地址总线所对应存储体单元的数据送到输出缓冲器,在得到ADIS16210CMLZ输出控制信号有效时,再将该数据放到数据总线上。

   若是写操作,芯片在写信号有效时就将数据总线上的数据写入芯片存储体的一个单元,到底写到哪个单元,由地址总线信号决定。

   若片选信号无效,该芯片不进行任何操作,输出缓冲器的输出线呈高阻状态,可实现该芯片输出缓冲器与外部数据总线的隔离。

   按制造工艺分类,RAM分为双极型和MOs型两大类。

   双极型RAM的特点

   ①存储速度快。

   ②以晶体管的触发器作为基本存储电路,故管子较多。

   ③与MOS相比集成度较低。

   ④功耗大。

   ⑤成本高。

   所以,双极型RAM主要用在对速度要求较高的微型机中或作为Cache。