半导体四象限探测器通常由4个光电池排列形成直角坐标制作在共同的衬底上，彼此DAC0832LCN绝缘，有单独的信号输出端。在有光斑投射到表面时，各象限光电池的输出信号与所接收的光能量成正比，因此能用以测出光斑的光亮度中心。若光斑形状是规则和已知的，则可借以确定它的几何位置。根据四象限探测器坐标轴线和测量系统基准线间安装角度的不同，可将它的应用方法分为和差电路和直差电路两种方式。

   和差电路式

   图9.36给出了和差电路的连接方法。这种方式连接时，器件的坐标线和基准线间水平安装。电路的连接是先计算相邻象限的和，再计算和信号的差。设光斑形状为弥散圆，在探测器四象限I、II、ni、IV上所占的面积分别是Sl、S2、S3、S4，光斑直径为d，光斑中心为D，。光斑的光密度均匀，光斑相对探测器中心D的偏移OO' -p可用直角坐标@，力表示。测量范围pmax<d。将探测器各象限的输出信号按图连接.

   在小偏移情况下，输出信号与输入偏移量成正比，当x>1时输

出信号饱和。

   和差电路的特点是，测量灵敏度较高，非线性影响较小，对目标光斑的不均匀性适应性较强，适用于高精度的定电路复杂，需要进行图9.37虬=矽(z)的特性曲线多次和差运算，各环节性能的差异会引起测量误差。