1．说明为什么本征光电导器件在微弱的辐射作用下，时间显影越长，灵敏G1117-33T63UF度越高。

  2．在微弱辐射作用下，光电导材料的光电灵敏度有什么特点？为什么要把光敏电阻制造成蛇形？

   3．对于同一种型号的光敏电阻来说，在不同的光照度和不同环境下，其光电灵敏度与时问常数是否相同？为什么？如果照度相同而温度不同，情况又如何？

   4．已知某光敏电阻在500 lx的光照下阻值为550 Q，而在700 lx的光照下阻值为450 Q。求该光敏电阻在550 lx和600 lx光照下的阻值。

   5．已知本征硅材料的禁带宽度Eg=1.2 eV，求该半导体材料的本征吸收长波限；已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4 L/m，求该材料的禁带宽度。．

   6．在如图4.22所示的照明灯控制电路中，用CdS光敏电阻用做光电传感器，光敏电阻最大功耗为300 mW，光电导‘灵敏度Sg=0.5×10-6 S／1x，暗电导90=0，若已知继电器绕组的电阻为5 kQ，继电器的吸合电流为2 mA，电阻R- lkQ。问：使继电器吸合所需要的照度E是多少？要使继电器在照度为3 lx时吸合，应如何调整电阻R?

   7．利用光敏电阻等器件设计楼梯内的节能灯控制电路及测量应用中的自动增益控制电路。