硅光电池的工作原理与4.1节中光照PN结开路状态时的物理过程相同，它的主GL1117A-1.8要功能是在不加偏置的情况下将光信号转换成电信号。硅光电池的工作原理如图5.7(a)所示。根据4.2节的分析知，硅光电池的电流方程式与式(5.5)相同，即

    I=Ip -Ia=Ip-I娟(eqU|IKT一1q

   由式(5.5)可画出光电池的等效电路[图5.7(b)]，图中厶为光电流，与入射光照成正比；/d为流过PN结南正向电流；V）为等效二极管；R。h为PN结的漏电阻，又称动态电阻或结电阻，Rsll=-dUJd/L（巩=0）为坐标原点的斜率，它比RL和PN结的正向电阻大得多，故流过的电流很小，往往可略去，在线性测量中，尺。h值越大越好，目前可达到l08～1010 Q/cm，计算时可视为开路；R。是串联电阻（引线电阻、接触电阻等之和，其值一般为零点几至几欧姆，在大多数情况下可忽略）；Cj为结电容，在直流计算时可不予考虑；RL为负载电阻；凡为流过负载电阻的电流屯= /p-/d。若进一步简化，则可画成如图5.7(c)所示的等效电路。