光电池的光照特性主要有伏安特性、照度GL1117A-1.8一电流电压特性和照度一负载特性。

   硅光电池的伏安特性表示输出电流和电压随负载电阻变化的曲线。伏安特性曲线是在某一照度下（或光通量），取不同的负载电阻值所测得的输出电流和电压画成的曲线，图5.8所示为不同照度时的伏安特性曲线，与图5.4所示的光伏探测器的伏安特性对照，硅光电池工作在特性曲线的第四象限。若硅光电池工作在反偏置状态，则伏安特性将延伸到第三象限。

   硅光电池的电流方程式同式(5.5)，武中，/的计算式与式(5.1)相同；/s0为反向饱和电流，是光电池加反向偏压后出现的暗电流。此时曲线与电压轴交点的电压通常称为光电池开路时两端的开路电压.

  Uoc -般为0.45～0.6 V，最大不超过0.756 V，因为UOc不能超过PN结热平衡时的接触电动势差或内建电势UD。