硅光电池按基底材料不同分为2DR型和2CR型。2DR型硅光电池是以P型硅作为基底（即在本征型材料中掺入3价元素硼、镓等），GD75232DBR然后在基底上扩散磷形成N型并作为受光面。2CR型光电池则以N型硅作为基底（在本征型硅材料中掺入5价元素磷、砷等），然后在基底上扩散硼形成P型并作为受光面。构成PN结后，再经过各种工艺处理，分别在基底和光敏面上铡作输出电极，涂上二氧化硅作为保护膜，即成硅光电池，如图5.6所示。

   图5.6硅光电池结构及符号示意图

   一般硅光电池受光面上的输出电极多做成梳齿状，有时也做成“ri”形，目的是便于透光和减小串联电阻。在光敏面上涂一层二氧化硅透明层，一方面起防潮保护作用，另一方面对入射光起抗反射作用，以增加对光的吸收。