若按照其光谱特性及最佳工作波长范围
发布时间:2016/1/23 20:27:46 访问次数:820
若按照其光谱特性及最佳工作波长范围，光敏电K4N26323AF-GC1K阻基本上可分为3类：①对紫外光灵敏的光敏电阻，如硫化镉( CdS)和硒化镉(CdSe)等。②对可见光灵敏的光敏电阻，如硫化铊( TiS)、硫化镉(CdS)和硒化镉(CdSe)等。③对红外光灵敏的光敏电阻，如硫化铅 ( PbS)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)、锑化铟(InSb)，碲镉汞(Hgi_xCd。Te)、碲锡铅( Pbi_xSnTe)和锗掺杂等。按晶体结构来分，有单晶和多晶光电导探测器；按其制造工艺来分，有薄膜烧结型和真空蒸发型光电导探测器等。
常见本征光电导材料多为半导体材料，其禁带宽度、光谱响应和峰值波长如表4.3所示。
表4.3常用本征光电导材料
若按照其光谱特性及最佳工作波长范围，光敏电K4N26323AF-GC1K阻基本上可分为3类：①对紫外光灵敏的光敏电阻，如硫化镉( CdS)和硒化镉(CdSe)等。②对可见光灵敏的光敏电阻，如硫化铊( TiS)、硫化镉(CdS)和硒化镉(CdSe)等。③对红外光灵敏的光敏电阻，如硫化铅 ( PbS)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)、锑化铟(InSb)，碲镉汞(Hgi_xCd。Te)、碲锡铅( Pbi_xSnTe)和锗掺杂等。按晶体结构来分，有单晶和多晶光电导探测器；按其制造工艺来分，有薄膜烧结型和真空蒸发型光电导探测器等。
常见本征光电导材料多为半导体材料，其禁带宽度、光谱响应和峰值波长如表4.3所示。
表4.3常用本征光电导材料
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