伏安特性和发光亮度与电流关系。发光二极管的伏安特性（电流一电压特性）曲线和普通的二极管相似，如图2.10所示。对于正向特性， NE555D电压在开启点以前几乎没有电流；电压超过开启点就显示出欧姆导通特性，这时正向电流，m为复合因子，它标志器件发光特性的好坏，1≤m≤2。工作电流一般为5～50 mA。电流的进一步增加会引起发光二极管输出光强饱和，直至损坏器件。因此，在典型的偏置电路申，串联电阻使通过发光二极管的电流不会超过允许值。开启点随半导体材料的不同而不同，如GaAs约为1V，GaP为1.8～2V。在发光工作状态，压降为0.3～0.5 V。

   对于反向特性，只有很小的反向电流流过管子，当反向电压加大到一定程度时，反向电流突然增大，出现反向击穿现象。要不使发光二极管因反向电流过大而烧坏，只需接上一只保护二极管即可，如图2.11所示，发光二极管的反向击穿电压一般在-5 V以上。如果用脉冲供电，只要平均电流不超过最大值，最大峰值电流就可以更大些，从而得到更高的发光强度。

   图2.10发光二极管的伏安特性    图2.11简单的发光二极管偏置电路

   发光二极管翟PN结通以正向电流时，发光亮度基本上与正向电流密度成线性关系，这个电流范围在几十毫安以内。电流的迸一步增加会引起发光二极管发光亮度饱和，直至损坏器件。因此，使用时应控制正向电流密度，图2.12所示为几种发光二极管的光出射度Me与电流密度／的关系。