光电导探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的，最典型 K4D26323RA-GC36的光电导探测器是光敏电阻。

   常用光敏电阻的结构及材料

   最简单的光敏电阻结构示意图和图形符号如图4.5所示，它在均质的光电导体两端加上电极后，在端面接上电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。两电极加上一定电压

   后，当光照射到光电导体上时，由光照产生的光极生载流子在外加电场作用下沿一定方向运动，在电路中产生电流，达到光电转换的目的。

   具有光电导性能的半导体材料很多，但能够满足光敏电阻的各项要求而又能实际应用的却不符号多。目前用做光电导探测器的主要材料有硅、锗、II-VI族和In-v族化合物。此外，还有一些图4.5光敏电阻的结构示意图和图形符号  有机光电导材料。