虽然某些发光二极管材料的内量子效率很高，接近100%，但外量子效率却很低。主要原因是所用半导体材料的折射率较高。如GaAs的折射率行为3.6，NE32184A其临界角很小，大部分辐射光都以大于临界角的角度照射到材料与空气的界面上，它们几乎全部被反射回去，故光能损失很大。

   对于非显示用的而在光电检测技术中用的发光二极管，则用功率效率和光学效率来描述更为合适。功率效率表示器件将输入的电功率P转换成辐射功率痧。的效率，即

   77p=(e／P)×100%    (2.7)

    伏安特性和发光亮度与电流关系。发光二极管的伏安特性（电流一电压特性）曲线和普通的二极管相似。对于正向特性，电压在开启点以前几乎没有电流；电压超过开启点就显示出欧姆导通特性，这时正向电流，与