在电压输出状态，GL2574-ASF8R为了获得高的输出电压，应使RL>Rb，此时采用输入阻抗高的电压放大器为好。显然频率特性变坏。

   以上所述是选用负载电阻及放大器的原则，同样也可利用图5.16 (b)所示的图解法（利用交、直流负载线和不同光照下的伏安特性曲线）推导输出参数的计算公式。。

   图5.17示出了几种硅光电池的光电变换电路，这些电路都是按照线性要求设计的，所以硅光电池必须工作在I区，并且是电流输出，才能获得线性T作。

   在图5.17 (a)所示的电路中，用于放大光电流的三极管必须采用锗管，不能用硅管。因为，  ‘般硅三极管基极一射极电压高于0.7V时才开始导通，但硅光电池的开路电压最高不超过0.6 V，因此，用硅三极管是无法工作的；而锗二三极管在开始导通时射极一基极电压约为0.3 V，！与有光照时，只要硅光电池的输出电压高于0.3 V，锗管3AX4便开始导通，输出电压Vo。。由-10 V上升，入射光的强度越强，输出电压越接近于地电位。由，二3AX4的输入阻抗很低，所以硅光电池基本上工作在线性区。

   图5.17 (b)和图5.17 (c)所示电路都使用硅三极管放大电流，前者采用两个硅光电池串联，以获得高于0.7 V的信号电压；后者则将锗二极管2AP7的正向压降0.3 V作为硅光电池的反向偏置电压，以使硅三极管得以投入工作。

   上面所示的三种电路都以晶体三极管基极一射极间的正向电阻作为硅光电池的负载，因此硅光电池几乎工作在短路状态，从而获得线性工作特性。