当光照射PN结时，只要入射光子能量大于材料禁带宽度，就会在结区产生电子一空穴对。GAL16V8D-15LP在零偏置条件下，假定光辐射入射到PN结的P区表面，由于P区的多数载流子是空穴，光照前热平衡时空穴浓度本来就比较大，因此光生空穴对P区空穴浓度影响很小，而光生电子对P区的电子浓度影响很大。从P区表面到P区内部形成电子浓度梯度（表面电子浓度大，内部浓度小），引起电子从表面向内部扩散，如果P区的厚度小于电子扩散长度，那么大部分光生电子都能扩散进PN结，一旦进入PN结，就被内建电场扫向N区。这样，光生电子一空穴对就被内建电场分离开来，空穴留在P区，电子通过扩散流向N区。当光照射到N区时，则在内建电场的作用下，空穴通过扩散流入P区，电子留在N区。总之，不管光照在P区还是N区，入射光都会引起由N区流向P区的光电流昂。这时用电压表就能量出P区正、N区负的开路电压‰，称为光生电匮。同时，如果用一个理想电流表接通PN结，则有电流厶通过，称为短路光电流，显然

    Uo=Ro/o    (5.2)

   式中，Ro为结电阻。光生电子与空穴的这一流动，使P区的电势增高，这相当于在PN结上加一正向偏压UO，这个正向电压使PN结势垒由gUD（UD为内建电动势）降至gUD-q‰。同时，这个正向电压还引起电流厶=I。(eqUol Kr _1)流过PN结，厶的方向正好与上述光电流昂的方向相反。