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淀积薄膜的生长需要几个不同的阶段

发布时间:2015/11/7 21:54:57 访问次数:901

   淀积薄膜的生长需要几个不同的阶段(见图12.7)。第一阶段是成核过程(nucleation)。G5258A2过程非常重要,并且与衬底的质量密切相关。起初,晶核在淀积了几个原子或分子的表面L形成。j然后,这些原子或分子形成许多个小岛,进而长成为较大的岛。在第i阶段,这砦岛向外扩散,最后形成连续的薄膜。薄膜长成特定的几百埃的阶段就是这样一个传输过程。传输过程的薄膜与最终的较厚的薄膜“体”有着不同的物理和化学性质。

   在传输膜形成之后,薄膜体开始生长。人们设计出厂多种【艺,用以形成下面的3种结构:非晶体、多晶体和单晶体(见图12.8)。这些术语已经在前面的章节中阐述过了。对工艺的设置不当和控制不良,将导致薄膜结构上的错误。例如,在晶圆上生长单晶外延膜,但在晶圆的氧化物未被去除干净的岛区,结果会在生长的薄膜当中生成多晶区域。

     


   淀积薄膜的生长需要几个不同的阶段(见图12.7)。第一阶段是成核过程(nucleation)。G5258A2过程非常重要,并且与衬底的质量密切相关。起初,晶核在淀积了几个原子或分子的表面L形成。j然后,这些原子或分子形成许多个小岛,进而长成为较大的岛。在第i阶段,这砦岛向外扩散,最后形成连续的薄膜。薄膜长成特定的几百埃的阶段就是这样一个传输过程。传输过程的薄膜与最终的较厚的薄膜“体”有着不同的物理和化学性质。

   在传输膜形成之后,薄膜体开始生长。人们设计出厂多种【艺,用以形成下面的3种结构:非晶体、多晶体和单晶体(见图12.8)。这些术语已经在前面的章节中阐述过了。对工艺的设置不当和控制不良,将导致薄膜结构上的错误。例如,在晶圆上生长单晶外延膜,但在晶圆的氧化物未被去除干净的岛区,结果会在生长的薄膜当中生成多晶区域。

     


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