半导体器件需要高度的晶体完美。MC9S12DJ256BCFU但是即使使用了最成熟的技术，完美的晶体还是得不到的。不完美，就称为晶体缺陷( crystal defect)，会产生不均匀的二氧化硅膜生长、差的外延膜淀积、晶圆里不均匀的掺杂层，以及其他问题而导致工艺问题。在完成的器件中，晶体缺陷会引起有害的电流漏出，可能阻止器件在正常电压下工作。有4类重要的晶体缺陷：

  1．点缺陷

   2．位错

   3．原生缺陷

   4．杂质

   点缺陷

   点缺陷的来源有两类。一类来源是由晶体里杂质原子挤压晶体

结构引起应力所致；第二类来源称为空位，在这种情况下，有某个原子在晶体结构的位置上缺失了（见图3. 15）。

   空位是一种发生在每一个晶体里的自然现象。遗憾的是空位无

沦在晶体或晶圆加热和冷却时都会发生，例如在制造工艺过程中。减少空位是低温工艺背后的一个推动力。