在不同类型的器件中，半导体OPA227UA/2K5二极管的抗辐射能力优于三板管，结型场效应管的抗辐射能力优于双极型晶体管，由分立器件构成的电路的抗电离辐射能力优于实现相同功能的单片集成电路，数字集成电路的抗中子辐射能力优于模拟集成电路。

   在相同类型的器件中，工作频率越高，工作电流越大，开关时间越短，或者额定电源电压越高，抗辐射能力越强。例如，用相同工艺和材料制作的微处理器电路，要求10V电源的电路比要求5V电源的电路抗辐射能力强，因为10V电源有3V的噪声容限，而5V电源只有1. 5V的噪声容限。

   在采用不同材料或结构的器件中，采用介质隔离的集成电路的抗辐射能力优于采用PN结隔离的集成电路，以蓝宝石为衬底的CMOSlSOS电路或者以绝缘体为衬底的CMOS/SOI电路的抗辐射能力优于以硅为衬底的CMOSlSi电路，砷化镓器件与电路的抗辐射能力优于硅器件与电路。

   对于集成电路，在抗中子辐射方面，CMOS/SOS电路最好，其次是CMOSlSi、ECL和NMOS电路，再次是肖特基TTL电路和IzL电路，最差的属双极型线性电路。在抗稳态电离辐射方面，ECL电路最好，其次是肖特基TTL电路和I2L电路，再次是CMOS电路，最差的是NMOS电路。在抗瞬态电离辐射方面，CMOSlSOS咆路最好，

CMOSlSi和I2L电路次之，NMOS、ECL和肖特基TTL电路最差。