在抗辐射加固电子系统的设计中， OP42GS首要的任务是如何合理地选择电子元器件。选择的一般原则是，所选用的器件既能实现系统的电气性能指标，又具有较好的抗辐射潜力。为了正确地选用抗辐射能力强的电子元器件，掌握以下规律是十分重要的。应该指出的是，这里对不同器件抗辐射能力的比较是在其他条件相同或相当的前提下进行的，只具有相对的意义，不要把它们绝对化。

   1)双极型器件抗中子辐射的能力差，最敏感的参数是电流放大系数hFE; MOS器件抗电离辐射的能力差，最敏感的参数是阈值电压VT。MOS场效应管的抗中子辐射能力比双极型晶体管高1～2个数量级，但它的抗电离辐射能力却比双极型晶体管低2～3个数量级。

   2)在分立半导体器件中，晶闸管、单结晶体管和太阳电池的抗辐射能力最差，所以应该尽可能避免在辐射环境中使用此类器件。

   3)在二极管中，隧道二极管的抗辐射能力最强，其次为电压调整二极管和电压基准二极管，普通的整流二极管最差。

   4)在具有不同的参数指标、结构或管芯材料的双极型二极管中，大功率晶体管的抗辐射能力优于小功率晶体管，高频晶体管优于低频晶体管，开关晶体管优于放大晶体管，锗晶体管优于硅晶体管，NPN晶体管优于PNP晶体管。