依据材料种类， HCF4047薄膜太阳电池可细分为：微晶硅薄膜硅太阳电池(Thin Film CrystallineSilicon Solar Cell．c-Si)；非晶硅薄膜太阳电池(Thin Film Amorphous Silicon Solar Cell，a-Si)、Ⅱ～Ⅵ族化合物太阳电池（碲化镉CdTe、硒化铟铜）、Ⅲ～V族化合物太阳电池，如砷化镓(GaAs)、磷化铟InP、磷化镓铟InGaP)。除了Ⅲ～V族化合物太阳电池可以利用多层薄膜结构达到高于30%以上的转换效率外，其他的集中薄膜型太阳电池效率一般多在10%以下。

   Ⅲ～V族化合物太阳电池

   典型的Ⅲ～V族化合物太阳电池为砷化镓( GaAs)电池，转换率达到30%以上，这是因为Ⅲ～V族是具有直接能隙的半导体材料，仅仅2 )um厚度，就可在AMl( Air Mass，光线通过大气的实际距离等于大气垂直厚度)的辐射条件下吸光97%左右。在单晶硅基板上，以化学气相沉积法生长GaAs薄膜所制成的薄膜太阳电池，因效率较高，应用在太空中。而新一代的GaAS多接面太阳电池，因可吸收光谱范围高，所以转换效率可达到39%以上，是目前转换效率最高的太阳电池种类。另外，它性能稳定，寿命也相当长。不过这种电池价格昂贵，平均每瓦的价格可高出多晶硅太阳电池数十倍似上，因此不是民用主流。

   因为具有直接能隙及高吸光系数，耐反射损伤性佳且对温度变化不敏感，所以适合应用在热光伏特系统( Thermophotovolaics，TRV)、聚光系统(Concentrator System)及太空三个主要领域。