防护措施
发布时间:2015/6/25 21:26:54 访问次数:541
器件抗静电能力与器件类型、输入端保护结构、版图设计、制造工艺及使用情况有关。 HD100180应在各个环节采取相应有效措施一
1.MOS电路
最易引起ESD的是输入端,一般输入端都接有电阻一钳位器件保护网络。限流电阻多为扩散电阻或多晶硅电阻,钳位管可分为一般二极管、栅控二极管、MOS管等,根据情况和使用要求选用。除了要有快的导通特性和小的动态电阻外,保护网络还应具有大的功率承受能力。此外还要考虑保护网络的引入对电路性能、版图和工艺等的影响。
2.双极器件
双极器件一般不设计保护网络,在小器件的基极也可加串联电阻或在E-B结上反向并联二极管,以便形成充电回路。
3.生产与使用环境
要消除一切可能的静电源或使静电尽快消失,对一切可能产生静电的物体和人员提供放电通路,各种仪器设备要良好接地,相关人员佩戴接地的肘带、腕带等。空气湿度对静电损伤的影响很大,冬季天气干燥,器件的静电损伤严重。湿度增加,绝缘体表面电导增加,能加速静电的泄放。所以工作场所可用喷水等措施增加湿度,一般相对湿度在0.5~0.6时为好。各种塑料和橡胶制品容易产生静屯,要避免使用。而用半导电的塑料或橡皮(添加炭黑等材料)制作各种容器、包装材料及地板。工作服要用木棉或棉花制造,不能用尼龙等化纤制品,防止摩擦带电。MOS器件及其印制电路板禁止带电插拔等。
4.储存或运输
MOS IC各引出线应短接以保持等电位或安放在导电的容器中,器件要与容器紧密接触并固定住,防止运输时在容器内晃动摩擦。
器件抗静电能力与器件类型、输入端保护结构、版图设计、制造工艺及使用情况有关。 HD100180应在各个环节采取相应有效措施一
1.MOS电路
最易引起ESD的是输入端,一般输入端都接有电阻一钳位器件保护网络。限流电阻多为扩散电阻或多晶硅电阻,钳位管可分为一般二极管、栅控二极管、MOS管等,根据情况和使用要求选用。除了要有快的导通特性和小的动态电阻外,保护网络还应具有大的功率承受能力。此外还要考虑保护网络的引入对电路性能、版图和工艺等的影响。
2.双极器件
双极器件一般不设计保护网络,在小器件的基极也可加串联电阻或在E-B结上反向并联二极管,以便形成充电回路。
3.生产与使用环境
要消除一切可能的静电源或使静电尽快消失,对一切可能产生静电的物体和人员提供放电通路,各种仪器设备要良好接地,相关人员佩戴接地的肘带、腕带等。空气湿度对静电损伤的影响很大,冬季天气干燥,器件的静电损伤严重。湿度增加,绝缘体表面电导增加,能加速静电的泄放。所以工作场所可用喷水等措施增加湿度,一般相对湿度在0.5~0.6时为好。各种塑料和橡胶制品容易产生静屯,要避免使用。而用半导电的塑料或橡皮(添加炭黑等材料)制作各种容器、包装材料及地板。工作服要用木棉或棉花制造,不能用尼龙等化纤制品,防止摩擦带电。MOS器件及其印制电路板禁止带电插拔等。
4.储存或运输
MOS IC各引出线应短接以保持等电位或安放在导电的容器中,器件要与容器紧密接触并固定住,防止运输时在容器内晃动摩擦。
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