热载流子效应引起器件性能退化，AD8227ARZ原因在于界面态的产生及电荷注入氧化层中。目前研究界面态情况及氧化层中电荷性质的一项有效手段是电荷泵(Charge Pumping，CP)技术，其原理如图4.8所示。    

   图4.8  电荷泵测试原理图

   MOS器件的源和漏极连在一起后与衬底间施加一反向偏压V，，栅极连接脉冲发生器，波形及幅度由示波器监控。脉冲常用矩形波，幅度为AVA，脉冲上升、下降时间分别为、f，脉冲周期为TP，重复频率为厂，脉冲上叠加偏置电压VB。当脉冲电压使N沟道MOS器件从堆积进入反型时，从源一漏区进入沟道的电子，一部分被界面态所俘获，当栅脉冲使沟道区回到堆积时，沟道区中未被俘获的电子在反向偏压V．作用下又回到源（漏）极，但被界面态俘获的少子与来自衬底的多子（空穴）复合，这样通过界面态产生一个自衬底到漏源区的净电荷流动，此即所谓的电荷泵电流，也即衬底电流，。u，它由串在衬底回路中的电流计测出.