(1)双极型浅结器件E-B结退化

   硅一铝反应形成的渗透坑多发生在接触孔四周，这是因为该处溶解的硅可向旁侧扩散，LC7510降低了界面处硅的含量，允许硅进一步溶解，另外边缘处Si02与硅的应力增大了该处的溶解能力，所以在接触窗口边缘，能出现较深的渗透坑。这在双极型小功率浅结器件（如微波器件、超高速ECI。电路）中容易引起E-B结退化、反向漏电增加，击穿特性由原来的硬击穿变为软击穿，明显地表现为一个电阻跨接在E-B结上，严重时造成如图4.16所示的PN结短路。铝的舍金化过程中，或在器件受到强电流冲击的过电应力时，常发生这类失效。

   图4.  16铝一多晶硅反应引起浅结器件中E-B结短路的情况

   (2)铝肖特基势垒二极管的失效

   铝肖特基势垒二极管Al-SBD用于各种抗饱和集成电路中。这种势垒也因硅向铝中的固态溶解而存在不可靠性。蒸铝后合金（450℃下）时会使铝穿透硅表面天然S102膜，由于穿透的不均匀，因而铝一硅界面也不均匀，在硅表面出现渗透，这些坑是正向电流（反向电场）集中处，是击穿的薄弱点，会导致反向漏电流增加，击穿电压降低，有过电应力冲击时，渗透坑处首先被烧毁。

   Al-SBD退化的另一种模式是在高温老化过程中，因硅向铝中的固体溶解，硅片骤冷后便有P型硅层析出（铝在硅中的溶解），于是肖特基势垒逐渐转化为PN结，势垒高度增加，SBD的作用消失，器件失效。

   (3)结间短路

   在浪涌电流作用下，电路某处会出现结间短路现象，也是硅向铝中溶解并在铝中电迁移造成的。

   N-MOS IC中，为防止静电损伤和浪涌电流造成栅穿，一般在输入端加有保护电路。但输出是无法加这种保护网络的，因此输出端易受到静电损伤，表现为铝在硅的电热迁移。铝在Si-Si0：界面的硅层呈丝状渗入，形成通道，导致临近两个N+结短路，N+区到P型衬底间形成约2kCZ昀电阻，如图4.17所示。