以硅基为材料的微电子器件中，Si02层怍为一种介质膜是使用得很广泛的， LC7351而铝经常用作互连线的材料，Si02与铝在高温时将发生化学反应：

   4A1+ 3S10z—,2Al2 03+3S1

   这使Al层变薄，若Si0。层因反应消耗而穿透，造成铝、硅直接接触，这是一种潜在的失效机构。尤其对功率器件，结温度高，易产生热斑，热斑处Al-S102反应而造成PN结短路。解决措施是：

   1)版图设计时考虑使热分布均匀，并加强散热，降低热阻；

   2)采用诸如Si02 -Al2 03 -S102或S13 N4 -S102之类的复合钝化层；

   3)用双层金属（如Ti-Al、W-Al等）代替单一铝互连线。