可同时俘获（产生）电子一空穴对，超复合中心的作用。晶体管发射结附近表面的复合中心浓度，AD815ARB-24决定其表面的产生一复合电流，Qi．增加，必然要降低电流使得电流增益。

   当发射结雪崩击穿后，热载流子从势垒区电场获得足够能量，轰击Si-Si02-界面，使有效复合中心密度即Q．。增加，这在浅结、重掺杂发射区的双极高频晶体管中尤为突出，它导致矗FE及输出功率下降。

   界面态是一种表面复合中心，其产生率或复合率有一定涨落，这种涨落调制了基区表面少子产生或复合速度，从而产生了叠加在基极和集电极电流上的噪声电流，该电流的方均值与l/f成正比，所以称l/f噪声。

   MOS结构的MS界面态的影响

   MESFET器件和MOS肖特基器件的核心是金属一半导体接触，由于半导体制备过程及金属化过程的影响，在金属和半导体接触的界面会引入一层绝缘层，其厚度与工艺有关，从而形成了MOS结构的金一半接触，同时会引入界面态电荷D．。，其对MESFET器件的夹断电压VP的影响可，Vei是自建电势，w是空间电荷区宽度，E。为表面态的电中性能极，EF。为表面态的费米能级，其他参数是常见量。

   由于界面态对器件夹断电压的影响，从而影响器件的I-V和C-V特性，引起器件参数的漂移等可靠性问题。