氧化层中存在上述4种电荷，当这些电荷位置或密度变化时，调制了硅表面势，因此，AD815ARB凡是与表面势有关的各种电参数均受到影响。如对双极性器件，导敢电流增益和PN结反向漏电电流变化，击穿电压蠕变等。对MOS器件引起阈值电压及跨导漂移，甚至一漏击穿；对电荷耦合器件则引起转移效率降低等。在这4种电荷中，以可动离子电荷最不稳定，对器件可靠性的影响最大。

   氧化层电荷对可靠性的影响有下述几方面。

   增加PN结反向漏电电流，降低结的击穿电压

   当氧化层中Na+全部迁移至Si0。表面时，Qm等于“零”；当Na+全部集中在Si-S102界面时，Qm为最大。在PNP晶体管中，它可使P区表面反型，形成沟道漏电电流，从而引起击穿，如图4.5所示。在NPN晶体管中引起基区表面反型，产生沟道，导致TTL电

路多发射极晶体管交叉漏电增加，输出管高电平幅度降低，甚至失效。