反型层的出现说明了栅压达到阈值时，在Si02和P型半导体之间建立了导电沟。因为ICE2A765反型层电荷是负的，故常称为N型沟道CCD。如果把MOS电容的衬底材料由P型换成N型，偏置电压也反一下方向，则反型层电荷由空穴组成，即为P型沟导CCD。实际上因为材料中缺乏少数载流子，当外加栅压超过阈值时反型层不能立即形成；所以在这短暂时间内耗尽区就更向半导体内延伸，呈深度耗尽状态，深度耗尽状态是CCD的工作状态。这MOS电客具有存储电荷的能力。同时，栅极和衬底之间的绝大部分电压降落在耗尽区。如果随后可以获得少数载流子，那么耗尽区将收缩，界面势下降，氧化层上的电压降增加。当提供足够的少数载流子时，就建立起新的平衡状态，界面势降低到材料费米能级中，的2倍。对于掺杂为每立方厘米1015个的P型硅半导体，其费米能级为0. 3V。这时耗尽区的压降为0.6V，其余电压降在氧化层上。

   实际测得的表面势西s与外加栅压的关系，此时反型层电荷为零。出现反型层电荷时，表面势中s与反型层电荷密度的关系。可以看出它们是成线性关系的。