为了易于理解，可以ICE2A765P用一个简单的液体模型去比拟电荷存储机构。当电压超过阈值时，就建立了耗尽层势阱，深度与外加电压有关。当出现反型层时，表面电位几乎呈线性下降，类似于液体倒入井中，液面到顶面的深度随之变浅。只是这种势阱不能充满，最后有垂，的深度。

    为了理解在CCD势阱中电荷如何从一个位置移到另一个位置，我们观察的结构。取CCD中4个彼此靠得很近的电极来观察，假定开始时有一些电荷存储在偏压为10V的第二个电极下面的深势阱里，其他电极上均加有大于阈值的电压（例如2V）。设图4-39(a)为零时刻（初始时刻），假设过tl时刻后，各电极上的电压变为如图(b)所示，第二个电极仍保持为10V，第三个电极上的电压由2V变为10V。因这两个电极靠得很紧，它们各自的对应势阱将合并在一起，原来在第二个电极下的电荷变为这两电极下势阱所共有。若此后电极上的电压变为如图(d)所示，第二个电极电压由10V变为2V，第三个电极电压仍为10V，则共有的电荷将转移到第三个电极下面的势阱中，如图(e)历示。可见深势阱及电荷包向右移动了一个位置。

    通过将一定规则变化的电压加到CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定的方向移动。通常把CCD电极分为几组，每一组称为一相，并施加同样的时钟。CCD的内部结构决定了使其正常工作所需的相数。另外，这里还必须强指出，CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地从一个电极转移到相邻电极。