描述：STF18NM60N
这些器件是N沟道功率MOSFET使用第二代MDmesh™技术。 革命力量MOSFET将垂直结构与公司的钢带布局产生了世界上最大的钢带布局之一最低的导通电阻和栅极电荷。 它是因此适合最苛刻的高效率转换器。
特性：STF18NM60N
■经过100％雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
应用领域：STF18NM60N
■切换应用
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:13 A
Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:35 nC
Pd-功率耗散:30 W
配置:Single
商标名:MDmesh
封装:Tube
系列:STF18NM60N
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:40 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:22 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:50 ns
典型接通延迟时间:20 ns
单位重量:330 mg
