描述：STD35P6LLF6
该器件是一个P沟道功率MOSFET使用STripFET™F6技术开发的新的沟槽门结构。 所结果的功率MOSFET的RDS（on）极低包。
特性：STD35P6LLF6
导通电阻很低
极低的栅极电荷
高雪崩强度
低栅极驱动功率损耗
应用领域：STD35P6LLF6
切换应用
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:35 A
Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:30 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:70 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:STripFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:STD35P6LLF6
晶体管类型:1 P-Channel Power MOSFET
商标:STMicroelectronics
下降时间:21 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:39 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:171 ns
典型接通延迟时间:51.4 ns
单位重量:4 g
