描述：STF5NK100Z
新的SuperMESH™系列电源MOSFET是进一步设计的结果ST完善的基于条带的PowerMESH™布局的改进。 此外该器件具有明显更低的导通电阻出色的dv / dt功能以确保最佳即使在要求最苛刻的情况下也能表现出色应用程序。 SuperMESH™设备进一步补充已经广泛的创新高压MOSFET，其中包括革命性的MDmesh™产品。
特性：STF5NK100Z
■极高的dv / dt功能
■经过100％雪崩测试
■栅极电荷最小化
■极低的固有电容
■极好的制造重复性
应用领域：STF5NK100Z
■切换应用
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:1 kV
Id-连续漏极电流:3.5 A
Rds On-漏源导通电阻:3.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:42 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:SuperMESH
封装:Tube
高度:9.3 mm
长度:10.4 mm
系列:STF5NK100Z
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:4.6 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:4 S
下降时间:19 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.7 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:51.5 ns
典型接通延迟时间:22.5 ns
单位重量:330 mg
