描述：STF7N80K5
这些非常高压的N通道电源MOSFET使用MDmesh™K5设计基于创新专有技术的技术垂直结构。 结果是戏剧性的降低导通电阻和超低栅极为需要更高功率的应用程序充电密度高，效率高。
特性：STF7N80K5
业界最低的RDS（on）x区域
业界最佳的FoM（绩效指标）
超低栅极电荷
经过100％雪崩测试齐纳保护
应用领域：STF7N80K5
切换应用
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:800 V
Id-连续漏极电流:6 A
Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:13.4 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:25 W
配置:Single
商标名:MDmesh
封装:Tube
系列:STF7N80K5
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:22.2 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8.3 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:23.7 ns
典型接通延迟时间:11.3 ns
单位重量:330 mg
