描述：STGD6NC60HDT4
该器件是使用高级PowerMESH™开发的非常快速的IGBT。技术。 此过程保证了切换之间的出色权衡性能和低通态行为。 该设备非常适合谐振或软交换应用。
特性：STGD6NC60HDT4
•低导通压降（VCE（sat））
•低CRES / CIES比（无交叉传导敏感性）
•非常柔软的超快恢复反并联二极管
•高频运行
应用领域：STGD6NC60HDT4
•高频逆变器
•硬开关和谐振拓扑中的SMPS和PFC
•电机驱动器
制造商:STMicroelectronics
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术:Si
封装 / 箱体:DPAK-3
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.9 V
栅极/发射极最大电压:20 V
Pd-功率耗散:50 W
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:STGD6NC60HDT4
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
集电极最大连续电流 Ic:15 A
高度:2.4 mm
长度:6.6 mm
宽度:6.2 mm
商标:STMicroelectronics
集电极连续电流:6 A
栅极—射极漏泄电流:100 nA
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:2500
子类别:IGBTs
单位重量:350 mg
