描述：AO4425
38V P沟道MOSFET
AO4425使用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和超低低栅极以25V的栅极额定值充电。 这个装置适合用作负载开关或PWM应用。 它是ESD保护。
产品概要：AO4425
VDS（V）= -38V
ID = -14A（VGS = -20V）
RDS（ON）<10mΩ（VGS = -20V）
RDS（ON）<11mΩ（VGS = -10V）
ESD额定值：4000V HBM
经过100％UIS测试
已测试100％Rg
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4425
描述MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述表面贴装型-P-通道-38V-14A（Ta）-3.1W（Ta）-8-SOIC
一般信息：AO4425
数据列表AO4425;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列-
规格：AO4425
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）38V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V，20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10 毫欧 @ 14A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）63nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3800pF @ 20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
