描述:AO4296
100V N通道AlphaSGT TM
•Trench Power AlphaSGTTM技术
•低RDS(ON)
•低栅极电荷
•符合RoHS和无卤素
应用:AO4296
•AC / DC快速充电器的同步整流
产品概要:AO4296
VDS 100V
ID(在VGS = 10V时)13.5A
RDS(ON)(在VGS = 10V时)<8.3mΩ
RDS(ON)(在VGS = 4.5V时)<10.6mΩ
经过100%UIS测试
已测试100%Rg
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4296
描述MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
原厂标准交货期26 周
详细描述表面贴装型-N-通道-100V-13.5A(Ta)-3.1W(Ta)-8-SOIC
一般信息:AO4296
数据列表AO4296;
标准包装 3,000
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列AlphaSGT™
规格:AO4296
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)13.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)8.3 毫欧 @ 13.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)60nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3130pF @ 50V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)